细粉加工设备(20-400目)

我公司自主研发的MTW欧版磨、LM立式磨等细粉加工设备，拥有多项国家专利，能够将石灰石、方解石、碳酸钙、重晶石、石膏、膨润土等物料研磨至20-400目，是您在电厂脱硫、煤粉制备、重钙加工等工业制粉领域的得力助手。

MTW系列欧版磨粉机

稀油润滑系统，新型吊挂式笼式选粉机结构设计

LM立式辊磨机

采用新型碾磨装置自动化电控系统

5X系列欧版智能磨粉机

大型规模化环保智能磨粉机优选设备

LM矿渣立式磨

LM矿渣立式磨集破碎、干燥、粉磨、分级输送于一体

立式磨煤机

烘干与制粉二合一可边磨边烘干

雷蒙磨粉机

工业磨粉设备先驱，经济实用

更多了解

超细粉加工设备(400-3250目)

LUM超细立磨、MW环辊微粉磨吸收现代工业磨粉技术，专注于400-3250目范围内超细粉磨加工，细度可调可控，突破超细粉加工产能瓶颈，是超细粉加工领域粉磨装备的良好选择。

LUM超细立磨

LUM超细立磨结合现代磨粉理念

MW环辊微粉磨

采用新型碾磨装置自动化电控系统

粗粉加工设备(0-3MM)

兼具磨粉机和破碎机性能优势，产量高、破碎比大、成品率高，在粗粉加工方面成绩斐然。

LM砂粉立磨

大型效率与节能双高型砂粉制备产品

日本纯碳化硅

2020-08-23T06:08:51+00:00

碳化硅精密陶瓷（高级陶瓷）京瓷 KYOCERA

网页日本語材料选型 SiC 碳化硅碳化硅主要由SiC组成，是耐腐蚀性优越陶瓷材料，可用在机械密封和泵零部件中。在高达1400 ℃的温度下，碳化硅仍能保持其强度。碳化硅相关产品网页2021年12月8日据日本调查公司富士经济（东京中央区）预测，2022年纯电动汽车的全球销量将超过混合动力车（HV），到2035年将达到2418万辆，是2020年的11倍。在纯电动日本发力碳化硅功率半导体新闻中心物联网世界

住友SiC技术揭秘：6英寸、“无缺陷”、速度提升5倍！最近

网页2021年8月12日但是由于2017年日本经济出现问题，当年8月份，新日住金宣布退出碳化硅领域，将PVT法相关资产转移给昭和电工。昭和电工是从2005年开始研发生产SiC外延网页2023年3月20日碳化硅，作为目前发展最成熟的第三代半导体材料，是近年来最火热的材料之一。日本氧化镓领域知名企业FLOSFIA预计，2025年氧化镓功率器件市场规模将开碳化硅VS氮化镓，谁才是新一代半导体材料的代表？知乎

SiC新突破：溶液法、7英寸、明年销售第三代半导体风向

网页2021年12月2日 SiC新突破：溶液法、7英寸、明年销售最近，日本名古屋大学又公布一项碳化硅技术创新，采用溶液法成功生长了6英寸的碳化硅衬底，而且缺陷降低至1%。通网页2023年4月17日碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力等关键参数碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星腾讯新闻

碳化硅全球有效产能仍不足国产化突破有望加速半导体

网页2023年4月20日据日本市调机构富士经济公布的调查报告指出，因汽车电动化需求、加上太阳能发电等再生能源普及，带动2023年全球功率半导体市场规模（包含硅制产品和碳化网页2023年4月17日切片是碳化硅单晶加工过程的道工序，决定了后续薄化、抛光的加工水平，是整个环节的最大产能瓶颈所在。现有的碳化硅晶圆切片大多使用金刚石线锯，但碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星知乎

特斯拉虚晃一枪，碳化硅高速迈进sic半导体电动车igbt特斯

网页2023年4月20日虽然Wolfspeed近年产品供不应求，其碳化硅业绩却连年亏损，2018~2020年间共计亏损846亿美元，2021财年其毛利润率只有30%，其中2021年第网页2021年11月7日碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。从产业格局看，全球碳化硅产业格局呈现美国、欧洲、日本三足鼎立态势。其中美国全球独大，占有全球碳化硅产量的 70% 揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿

碳化硅：第三半导体核心材料，产业链龙头全梳理半导体材料

网页2022年5月10日以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体材料逐渐进入产业化加速放量阶段。碳化硅（SiC）是第三代半导体材料的核心。相较于前两代材料，碳化硅具有耐高压、耐高温、低损耗等优越性能，具有较高的导热率、熔点等。 #碳化硅# 基于碳化硅材料的半导网页2023年1月3日碳化硅外延材料的主要设备，目前这个市场上主要有以下几家： 1、德国的Aixtron：特点是产能比较大；2、意大利的LPE，属于单片机，生长速率非常大。3、日本的TEL和Nuflare，其设备的价格非常昂贵，其次是双腔体，对提高产量有一定的作用。为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？知乎

SiC新突破：溶液法、7英寸、明年销售第三代半导体风向

网页2021年12月2日 SiC新突破：溶液法、7英寸、明年销售最近，日本名古屋大学又公布一项碳化硅技术创新，采用溶液法成功生长了6英寸的碳化硅衬底，而且缺陷降低至1%。通常，碳化硅企业要实现尺寸从4寸到6寸的突破，通常需要5年，而名古屋大学仅用了1年时间，就实现了碳化硅衬底从3英寸到6英寸的突破。网页2023年4月17日碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制作高速、碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星腾讯网

碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星知乎

网页2023年4月17日切片是碳化硅单晶加工过程的道工序，决定了后续薄化、抛光的加工水平，是整个环节的最大产能瓶颈所在。现有的碳化硅晶圆切片大多使用金刚石线锯，但碳化硅硬度高，需要大量的金刚石线锯和长达数小时的加工时间，且切片过程中多达 40%的晶锭以碳化硅粉尘的形式成为废料，单个晶锭网页2021年12月4日转载自：信熹资本Part I 简介01 什么是碳化硅纯碳化硅（SiC）是无色透明的晶体，又名莫桑石（Moissanite）, 高品质莫桑石的火彩好于钻石。天然碳化硅非常罕见，仅出现在陨石坑内，常见碳化硅主要通过人工合成得到。碳化硅又叫金刚砂，具有优良的热力学和电化学性能。碳化硅（SiC）产业研究由入门到放弃（一）转载自：信熹

特斯拉虚晃一枪，碳化硅高速迈进sic半导体电动车igbt特斯

网页2023年4月20日虽然Wolfspeed近年产品供不应求，其碳化硅业绩却连年亏损，2018~2020年间共计亏损846亿美元，2021财年其毛利润率只有30%，其中2021年第四季度净亏损同比大增，从一年前的044亿美元，增加到145亿美元。这并非是因为碳化硅不赚钱，而是Wolfspeed一直走在扩产的路上网页2020年6月4日目前，混合碳化硅模块已经基本商用，而纯碳化硅模块也在家电、光伏逆变器以、直流充电桩、汽车逆变器等领域开始渗透及应用。预计随着碳化硅功率器件成本的降低，性能优势将促使碳化硅功率器件的下游需求快速增长。因新能源汽车领域的关于SiC与功率器件，这篇说得最详细半导体

首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有多难做

网页2020年10月21日有多难做？根据东方卫视报道，首片国产 6 英寸碳化硅 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）晶圆于 10 月 16 日在上海正式发布。从终端应用层上来看在碳化硅材料在高铁、汽车电子、智能电网、光伏逆变、工业机电、数据中心、白色家电、消费电子网页2023年1月16日日本Resonac控股（原昭和电工）将增产能使纯电动汽车（EV）续航距离延长约5～10％的新一代功率半导体的零部件。将使产量在2026年之前增至现在的约5倍。该公司是掌握这种零部件市场份额25％的世界级厂商。随着迈向脱碳化，纯电动汽车的零部件 Resonac要将碳化硅功率半导体部件产量增至5倍日经中文网

碳化硅半导体专利，日美企业垄断前5腾讯新闻

网页目前，碳化硅材料在某些用途领域被用作替代现有的硅半导体基板材料，其用于功率半导体时具有性能和节能方面的优势。基于这些优势，碳化硅被越来越多地用于纯电动汽车和光伏发电系统的逆变器等领域，且进一步扩大应用范围的前景看好。网页2023年3月21日为国内外半导体设计公司和IDM厂商提供高良率、高品质且具竞争力的6英寸纯碳化硅基资金将主要用于公司在无锡和日本工厂产能的提升，扩大 SiC融资火热！今年以来超20家获融资，金额超23亿新浪财经

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网页2023年4月17日碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制作高速、网页2021年12月2日 SiC新突破：溶液法、7英寸、明年销售最近，日本名古屋大学又公布一项碳化硅技术创新，采用溶液法成功生长了6英寸的碳化硅衬底，而且缺陷降低至1%。通常，碳化硅企业要实现尺寸从4寸到6寸的突破，通常需要5年，而名古屋大学仅用了1年时间，就实现了碳化硅衬底从3英寸到6英寸的突破。SiC新突破：溶液法、7英寸、明年销售第三代半导体风向

SiC技术谁最牛？盘点21年15项技术创新面包板社区

网页2021年11月9日最近，碳化硅又有技术创新——台湾企业研发了新的封装技术，量产了全球最小的SiC SBD，散热能力提升了 140%，成本可下降50%。今年，“三代半风向”报道了许多碳化硅新技术，今天我们就来盘点一下2021年的 15项的碳化硅技术创新。有奖网页2023年4月17日切片是碳化硅单晶加工过程的道工序，决定了后续薄化、抛光的加工水平，是整个环节的最大产能瓶颈所在。现有的碳化硅晶圆切片大多使用金刚石线锯，但碳化硅硬度高，需要大量的金刚石线锯和长达数小时的加工时间，且切片过程中多达 40%的晶锭以碳化硅粉尘的形式成为废料，单个晶锭碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星知乎

为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？知乎

网页2023年1月3日碳化硅外延材料的主要设备，目前这个市场上主要有以下几家： 1、德国的Aixtron：特点是产能比较大；2、意大利的LPE，属于单片机，生长速率非常大。3、日本的TEL和Nuflare，其设备的价格非常昂贵，其次是双腔体，对提高产量有一定的作用。网页2022年12月25日 IGBT器件电导调制能力依赖于漂移区载流子寿命，事实上对于1020kV电压等级的碳化硅IGBT器件，3us5us的载流子寿命就可以了。但是目前碳化硅载流子寿命提高的热氧化法和C离子注入退火法都难以实现稳定的载流子寿命提高，实验结果的片间均匀性很差，所以难以形成商业化的器件产品。为什么不用sic做igbt? 知乎